封装测试验证平台

国家信息光电子创新中心自成之初,就一直致力于面向商业化硅光子芯片的技术开发,已经取得了许多重要的进展。该硅光团队近年来相继研制出70、80、90GBaud和128Gb/s的硅光调制器,多次刷新当时硅光调制器速率的世界纪录。同时,相继研制出6×6超低损耗硅基光交叉、宽带偏振旋转器、偏振分束器、60GHz锗硅探测器、低损耗端面硅光耦合器等关键核心元件,并攻克了其CMOS加工集成与高密度封装关键工艺。2018年,联合光迅科技和中国信科共同发布我国首款商用“100G硅光收发芯片”,相关产品通过了国内运营商的现网工程测试认证,并进入批量生产阶段。2019年2月,研制出覆盖C+L波段的宽带硅光收发芯片和器件,并成功应用于国内首个1.06Pb/s超大容量波分复用及空分复用的光传输系统实验,助力我国在“超大容量、超长距离、超高速率”光通信系统研究领域再次迈上新台阶。

III-V族芯片技术研发平台面积约3000平方米,包括千级净化面积2000平方米,百级净化间面积200平方米。主要从事III-V族光电子芯片关键技术、核心工艺的研究,并对外提供流片服务及相关产品的中试验证服务。