重要突破 | NOEIC在OFC2023 特邀报告和Post Deadline Paper (PDP)发布最新进展

发布时间:2023-03-10

    3月9日,为期五天的OFC 2023会议在美国加州圣地亚哥落下帷幕。NOEIC在此次大会上获OFC-2023, Th3B.2 邀请,发表题为《Ultrahigh-speed silicon-based modulators/photodetectors for optical interconnects》的报告,全面介绍了NOEIC硅光研究团队过去三年中在超高速硅基调制器和探测器方面取得的进展。


     报告展示了NOEIC超3dB带宽110 GHz的硅基微环和锗硅电吸收两款调制器芯片,支持超240 Gbit/s速率的光信号产生。同时介绍了60GHz氮化硅侧向耦合型锗硅光探测器,67GHz限光微盘型锗硅光探测器,80GHz 增益峰化(Peaking)型锗硅光探测器等多种新颖结构。基于硅基高性能的调制器和探测器,实现了8×200 Gbit/s的1.6 T光互连芯片功能。以上硅光关键技术的储备,将为下一代超800G数据中心光互连,奠定坚实基础。


在NOEIC此次通过OFC2023展示的多项工作中,3 dB超110 GHz锗硅电吸收调制器以《280 Gbit/s PAM-4 Ge/Si Electro-absorption Modulator with 3-dB Bandwidth beyond 110 GHz》为题,作为PDP(Post-deadline paper,在截稿日期之后被接收的论文)发表。

随着大数据、云计算、5G、物联网等技术的高速发展,信息通信产业面临数据业务量快速增长的挑战,以硅基光电子学为代表的光电子集成技术已经成为信息通信系统未来发展的重要推动力。硅调制器是硅基光电子学中的最重要核心器件之一。该OFC 2023 PDP 研究论文,利用NOEIC商用标准硅光工艺平台,仿真设计并研制出包覆式PIN结型的锗硅电吸收调制器,能同时提高调制效率和带宽,且具有超紧凑的芯片尺寸 (1×20u㎡),实现3 dB带宽大于110 GHz及148 Gbit/s NRZ和280 Gbit/s PAM-4速率光信号产生,两项指标均是国际最高水平。该研究成果,将为发展超高密度集成、超低功耗光电共封装技术(CPO)和光学I/O芯片,提供关键的硅光子技术支撑。

OFC会议的PDP论文旨在发布光通信领域的最新技术进展和突破性成果,代表着该领域当年的最高技术水平。本届OFC PDP 论文全球仅20篇,NOEIC本次PDP为来自中国企业的两篇之一,展示了超高速硅基调制器的巨大应用前景及NOEIC在硅光芯片领域的技术卓越性。


OFC会议是光通信领域中全球规模和影响力最大的顶级国际会议,展示相关技术发展的最前沿趋势,被国际公认为光通信领域中全球规格最高、规模最大、历史最悠久、专业性最强的国际性盛会。