创新中心与中山大学联合研制出超高速LiNbO3薄膜光调制芯片
发布时间：2019-09-27
2019年9月26日，国家信息光电子创新中心与中山大学联合发布了研制出的超高速LiNbO3薄膜光调制芯片，并在ECOC 2019会议上发表post-deadline paper报告。该工作实现了单通道速率达120Gb/s NRZ及220Gb/s PAM4的调制，本次发布的芯片是目前国际上最高速率的光调制器芯片之一，为下一代光调制芯片技术提供了新路径。该成果被收录为ECOC 2019会议post-deadline paper（PDP）。OFC和ECOC会议的PDP论文旨在发布光通信领域的最新技术进展和纪录性成果，代表着领域当前最高技术水平。该工作既是本届大会20篇PDP论文中来自中国的唯一一篇，更是来自中国大陆的第一篇在光芯片领域的ECOC PDP论文，代表着我国信息光电子领域取得了重要性突破。
