光博会进行时 | NOEIC新品重磅发布，诚邀莅临展台交流
发布时间：2026-09-10
金秋九月，光影逐新。2026中国国际光电博览会（CIOE）正式拉开帷幕。开展首日，国家信息光电子创新中心展台人头攒动、交流热烈，众多行业专家、合作伙伴与专业观众驻足参观，围绕光电子前沿技术与产品方案进行了深入探讨。
展会第二日精彩继续。本次参展，我们带来重磅新品——220GHz超高带宽光强度调制器与国产12寸硅光工艺PDK2.0，诚邀各位莅临展台，近距离了解产品与技术细节。
220GHz 超高带宽光强度调制器
该调制器内置薄膜铌酸锂马赫曾德（MZI）调制芯片，工作于C波段，电光带宽高达220GHz，具备高速、低半波电压、高线性度等突出优势。
主要亮点：
高光电带宽
低半波电压
结构紧凑
典型应用：
支持OOK、PAM-N、DMT等多种调制格式
适用于高速光芯片与光器件的测试测量
可满足光传输、光互连、微波光子等科研场景需求
12寸硅光工艺 PDK 2.0
同期发布的12寸40nm晶圆硅光高性能PDK，具备完善的工艺能力：覆盖O、C波段完整器件库，支持三种硅刻蚀深度，搭载LPCVD超低损耗氮化硅异质集成工艺、低损耗实心端面耦合器、Ge外延集成、8层离子注入及铜互连金属工艺。
器件库包含MMI、波导弯曲（bend）、层间转换（layer transition）、光栅耦合器（GC）、马赫曾德调制器（MZM）、光电探测器（PD）、可调光衰减器（VOA）、加热器（heater）等全套硅光基础器件，典型性能表现优异：rib Si波导损耗约0.3dB/cm，strip SiN波导损耗约0.15dB/cm，MZM带宽大于55GHz，Ge PD带宽大于60GHz，可有力支撑单通道200G硅光芯片的快速设计与流片验证。
展会持续进行，诚邀莅临
今日展会精彩继续，NOEIC团队将继续在展位值守，欢迎各位行业同仁、合作伙伴莅临交流，就产品细节、技术参数及合作事宜进行面对面沟通。
展会信息：
地点：深圳国际会展中心（宝安）
时间：9月10日-11日
展位号：12C36
我们期待与您在展会现场相见，共话光电子技术的最新进展与未来机遇
