流片服务 | NOEIC 2025年硅光MPW流片排期发布
发布时间：2025-03-20
基于自主设计核心IP器件，NOEIC 2025年MPW流片排期现正式发布。该流片服务支持从设计到交付的全流程定制，可根据客户设计需求进行工艺挑选，助力降低研发成本，加速产品上市。NOEIC流片服务体系提供：
硅光核心IP器件（黑盒子，有源器件带宽>80GHz）
定制化基本元器件和硅光芯片解决方案
01、日程安排
注：
1.各批次客户首次提交版图最后期限（Tape in）为设计提交截止日期；
2.为确保所有设计都能顺利投版落地，流片设计过程将与设计客户进行多次交互与反馈修改，流片周期为Tape out后5~6个月；
3.单个Block尺寸2.15mm×7.825mm，交付30-50个芯片。
02、工艺介绍
NOEIC 提供基于8英寸（200mm）CMOS工艺，可实现最小90nm波导线宽，具备三步硅刻蚀、氮化硅波导、6次有源器件掺杂、锗外延与掺杂、TiN金属加热电极、双层铜互连与一层铝互连、深硅刻蚀与硅底切等关键工艺能力，并能实现各种高性能的硅光无源、有源器件。
工艺技术模块:
03、商务流程
了解完工艺特点，用户可通过商务流程启动MPW流片。具体如下：
1注册流片：
确认流片批次和规格邮件注册：邮件请注明单位、联系人、联系方式、预订投片时间和block数量。
联系邮箱：service@noeic.com2签署NDA和流片服务合同
工作人员收到注册邮件后会发送NDA模板和流片服务合同至客户邮箱，请填写完整信息、签字盖章后将并将扫描件发至指定邮箱，如需纸质版原件请快递邮寄至NOEIC。
邮寄地址：
湖北省武汉市洪山区邮科院路88号烽火创新谷1号楼 国家信息光电子创新中心
收件人：夏女士 17671208032
邮箱地址：service@noeic.com
※协议签署注意事项：
1.请使用具有法律效力的公章或合同专用章，已签署NDA且仍在有效期内的客户无需重复签署NDA；
2.联系人邮箱须为企业或机构邮箱；
3.信息填写完整；
4.如部分客户必须使用本单位的协议版本，请发送邮件或联系工作人员说明。
3获取PDK及工艺文件
收到回签的NDA及流片服务合同后，我司会在三个工作日完成审核并发送PDK及工艺文件至客户邮箱。
4提交版图
请用户于排期表tape in截至日期前，提交第一版版图。
版图提交邮箱：drc@noeic.com
※ 版图注意事项：
1. 请用户务必用我们提供的template block进行设计；
2. 文件名和cell名都不要用中文和特殊符号；
3. 任何library cell都不要flatten，包括template；
4. 提交前需将版图cell转换为static形式；
5. 除handbook中提供的layer之外，请不要随意使用layer；
6. 提交不同版本的版图请用文件名做区分。
请留意：NOEIC收到版图后，一般于3个工作日内反馈DRC结果，用户收到后请于5个工作日内完成版图更新。用户共有3次版图修改机会，请合理安排投版。
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