III-V族芯片工艺平台

III-V族芯片工艺平台拥有千级洁净间总面积约2000平米,百级洁净间约200平米,工艺设备约140台/套,对企业、研究所和高校开放共享,提供专业的芯片和器件设计、工艺加工到产品中试等全套技术服务。

外延生长:支持金属氧化物化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)等工艺,支持的材料体系包括InP、GaAs,晶圆尺寸从最小2英寸到最大6英寸。

光刻:拥有双面光刻机、接触式光刻机、步进式光刻机(stepper)、电子束光刻机(EBL),最小加工特征线条尺寸达到10nm。

薄膜生长:支持离子增强化学气象沉积(PECVD)等工艺,用于芯片表面SiO2、SiNx等薄膜生长。

刻蚀:支持电感耦合式等离子刻蚀(ICP)、反应离子刻(RIE)、蚀湿法刻蚀等工艺,能够用于SiO2、SiNx等介质膜刻蚀以及InP、GaAs等材料刻蚀。

镀膜:支持电子束蒸镀,磁控溅射等工艺,可进行金属镀膜和光学介质膜镀膜,金属镀膜用于制作芯片电极,厚度控制精度可达±2%,光学介质膜镀膜用于制作激光器芯片端面的高反膜和增透膜,高反膜反射率可达99%,增透膜反射率可低至0.01%。

封装:可实现高精度贴片、倒装焊、金丝键合、共晶焊

测试测量:支持芯片结构形貌测量、特性测试和高频测试,测试对象包括:LD/PD/APD/VCSEL等,可测试内容包括:XRD测试、可靠性测试、PIV特性测试、光谱测试、频率响应测试、高精度电容测试、高速眼图测试、灵敏度测试等,高频测试速率涵盖了:10G/25G/40G/100G/400G bit/s等不同传输速率。

其他工艺:平台还支持的其他工艺包括:高温恒温扩散、快速退火、高温湿法氧化、芯片解理、晶圆减薄、化学机械抛光(CMP)。