III-V族芯片技术研发平台

III-V族芯片技术研发平台面积约3000平方米,包括千级净化面积2000平方米,百级净化间面积200平方米。主要从事III-V族光电子芯片关键技术、核心工艺的研究,并对外提供流片服务及相关产品的中试验证服务。

目前平台建设有包括溅射区域、镀膜区、光刻区和芯片测试区在内的具备完整芯片工艺能力的研发中试线,配备有MOCVD、双面光刻机、自动匀胶显影系统、接触式光刻机、步进重复投影曝光系统等全套的光刻设备、ICP&RIE、介质膜镀膜机、湿法氧化设备、在线可靠性测试系统等关键工艺设备100余台套。

平台能够支持完成从外延生长、材料对接生长、光栅掩埋、光刻、薄膜生长与刻蚀、划片解理、光学镀膜、金属电极镀膜、芯片测试筛选等完整的芯片工艺。

经过多年技术积累与自主创新,已经掌握了成熟和先进的光电子芯片关键技术,掌握了国内最为先进的最大6英寸晶圆的亚微米光刻工艺,可实现0.1微米的套刻精度;自主创新激光器芯片镀膜技术,精度控制在几纳米以内;芯片测试区,所用设备全部自动化。平台具有强大的技术优势和产业化能力,曾经成功研制出中国第一只实用化光通信激光器芯片。已经具备25Gb/s以上激光器、探测器等III-V光芯片的完整研发和芯片的小批量产能力。