NOEIC携创新成果精彩亮相武汉光博会并成功举办硅光产业论坛

时间:2021-11-01 17:33:00


   2021年10月27-29日期间,国家信息光电子创新中心(NOEIC)携合作伙伴以“合作、开放、共赢”的先进光电子公共服务平台正式亮相第十八届“中国光谷”国际光电子博览会,全面展示了在服务体系建设、芯片设计及制造、测试封装和特种产品等覆盖信息光电子产品开发全流程各环节的创新成果和解决方案。

  服务平台方面,创新中心围绕通信应用高端光电子芯片的自主可控需求,加强III-V光芯片工艺平台、硅光芯片技术开发平台、封测技术开发平台、应用技术开发平台的能力建设,已支撑70余家产业和学术单位开展芯片产品研制和关键技术攻关工作,相继取得了100G/200G硅基相干光收发芯片、400G硅光数通芯片、25G/50G III-V EML芯片及模块等芯片的国产化突破。近期联合PIC ecosystem、中科微光子构建更为完整的服务体系,可为国内更广泛客户提供覆盖25G~400G的各类光电子芯片的设计仿真、测试分析、中试熟化和应用验证的技术服务。

  在特色产品方面,NOEIC重点展示了100G~400G相干光和数通光收发系列芯片、100G PAM4光调制器和探测器、量子通信应用核心光器件和模块、可编程光学滤波器、超高灵敏度相干接收机等产品,为光纤通信、数据中心、量子保密通信、5G、传感等相关行业单位提供了丰富的自主可控的产品解决方案。

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 (100G~400G相干光和数通光收发系列芯片)

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  (可编程光学滤波器)

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(C波段窄脉冲激光器模块)

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(40GHz光强度调制器)

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(30GHz光强度调制器、30GHz硅光探测器、30GHz硅光接收等系列特种光器件)

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(量子通信应用核心光器件和模块)

此外,NOEIC在本次展会上现场演示了近期研制的超1Tb/s硅光收发芯片。该芯片相比于目前全球刚刚商用的400G硅光芯片,在单通道速率和单片集成通道数上均提升2倍,同时利用COB高频封装技术完成集成,最终在硅光芯片的单片传输速率上达到目前国际上报道的最好水平,展现了NOEIC在超高速光芯片技术方面的领先实力。

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 (超1Tb/s硅光收发芯片现场演示)

    展会期间,来自湖北省科技厅、省知识产权局、华为、中科院、北大、武汉光电国家研究中心等单位的相关领导和专家莅临创新中心展位,关怀创新中心的建设与发展,开展深入洽谈合作。

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(省科技厅周德文副厅长等领导专家莅临展台)

   展会第二天,第四届中国硅光产业论坛在会展中心的三楼宴会厅成功举办。本次论坛由国家信息光电子创新中心与光纤通信技术和网络国家重点实验室主办,深圳市讯石信息咨询有限公司承办。论坛邀请了来自权威政策研究机构、知名投融资组织、以及硅光技术创新链、产业链上下游重点企业、公共服务平台和高校科研院所等代表,共同探讨硅光技术在通信领域的广泛应用、部署实施和行业生态圈培育、发展情况。会议取得了圆满成功,会议内容获得了良好的反响,根据会后数据统计,参会嘉宾达300余人。

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   论坛由创新中心副董事长毛浩先生发表开场致辞。毛总首先欢迎大家的到来,并表示很高兴看到硅光技术日益受到大家的重视,愿与各种携手共创行业的美好未来。

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傅焰峰和王磊博士分别主持论坛)

   创新中心技术研发总监傅焰峰博士作题为《打造面向应用的光子集成中国芯》的开场报告,他由硅光技术的特点切入,深入介绍了创新中心在硅光芯片设计和验证上的成果,以及在共性关键技术的突破。关于光电子器件集成封装技术的演变,他指出高带宽、高密度、低功耗是光引擎技术的竞争方向。他特别提到创新中心在集成封装上已具备建设适应高带宽、高密度光电集成封装的典型工艺。

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   随后,来自中国信科集团、华为、阿里巴巴、CUMEC等业内知名企业的多名专家分别带来了详实生动的报告,论坛最终在专家与来宾的热烈讨论和精彩互动中圆满落下帷幕。

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   国家信息光电子创新中心(NOEIC)以武汉光谷信息光电子创新中心有限公司为依托,是光通信领域唯一一家国家制造业创新中心。

  NOEIC已拥有III-V族芯片工艺平台、硅基光电子芯片开发平台、芯片封装测试验证平台和应用技术开发平台。通过中试平台建设带动工艺水平和制造能力提升,贯通产学研转化通道,支持从概念到产品的一站式服务,为客户提供灵活、透明、快速、高品质的封装测试、分析验证和产品订制服务,提供高可靠性、高性价比、切实可行的产品解决方案。

 


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