以创新中心模式引领制造业高质量发展——国家信息光电子创新中心参加“扬科技风帆,筑制造高地”高峰论坛

时间:2021-04-07 19:43:00

2021年3月31日下午,“扬科技风帆,筑制造高地”高峰论坛在武汉举行,湖北省委常委、武汉市委书记王忠林出席论坛并致辞,诚邀各地企业、在汉高校院所等携手,推动科技创新、产业升级双轮驱动,携手擦亮“武汉造”金名片。市委副书记、市长程用文主持论坛。

cb8065380cd79123f180f150c608108ab2b78072.jpeg

国家信息光电子创新中心副董事长毛浩作为嘉宾受邀出席高峰论坛,并与珠海格力电器股份有限公司董事长董明珠,中国工程院院士、华中科技大学党委书记邵新宇,东风汽车集团有限公司党委常委、总会计师冯长军,国家数字化设计与制造创新中心总经理彭芳瑜,中国经济网总经理何振红等专家学者和企业家一道围绕科技赋能制造业举行了圆桌论坛,为武汉先进制造业的发展献计献策。大家一致认为,在中共中央刚刚审议《关于新时代推动中部地区高质量发展的指导意见》中,将着力构建以先进制造业为支撑的现代产业体系放在促进中部地区高质量发展的首位,武汉作为中部重要的战略支点城市,制造业基础雄厚,科技创新资源富集,新的机遇也是新的责任,携手共进,发挥好武汉在中部地区崛起的龙头作用。

mmexport1617671927857.jpg


毛浩副董事长在圆桌论坛上分享了国家信息光电子创新中心的建设经验。国家制造业创新中心面向我国制造业创新发展的重大需求,充分汇聚行业创新力量,以重点领域关键共性技术的研发供给、转移扩散和首次商业化为目标,是制造业创新网络的核心节点,将对制造业的高质量发展发挥关键作用。国家信息光电子创新中心经过三年的建设,已初步建成III-V族芯片工艺平台、硅基光电子芯片开发平台、芯片封装测试验证平台和应用技术开发平台等四大技术平台,具备国内最完整最先进的光电子芯片研发条件和产业化能力。针对光子集成、光电集成、超高速光收发和先进光传输等技术方向,通过材料、工艺、集成、封装、算法等多维度创新突破光电子芯片性能瓶颈,解决了30余个关键共性技术问题,取得了一系列阶段性成果。累计实现了包括国内首款商用100G硅光芯片在内的10余个成果的转移和转化,并对全行业提供了委托研发、中试熟化、检测检验和企业孵化等多种服务。