国家信息光电子创新中心4项光器件行业标准和课题成功立项

时间:2020-12-04 15:12:00

近日,中国通信标准化协会(CCSA)在西安召开传送网与接入网技术工作委员会(TC6)第二十三次会议,国家信息光电子创新中心(以下简称创新中心)提交的4项光器件行业标准和课题在光器件工作组通过立项评审。这是继2019年创新中心牵头提出的行业标准研究课题“100GBaud及以上高速光收发器件的研究”获批后,又一次在产品标准化工作方面取得的重要进展。

随着我国5G网络建设的加速实施以及全球5G业务的蓬勃发展,云服务、物联网、AR/VR、人工智能、无人驾驶等新应用的兴起对高速传输网络和数据中心交换速率提出了更高的要求。下一代800Gb/s的接口速率成为大势所趋,开展800Gb/s光器件的产品开发和标准研究工作逐渐成为行业共识。

在本次光器件工作组会议上,创新中心联合中信科集团、中国信息通信研究院、中兴通讯等国内优势单位,围绕800Gb/s光器件及光电共封技术,共提交4项光器件行业标准和研究课题,均成功立项,其中牵头2项,分别是行业标准“800Gb/s强度调制可插拔光收发合一模块 第2部分:4×200Gb/s”和标准课题“光电合封技术研究”,参与2项,分别是“800Gb/s强度调制可插拔光收发合一模块 第1部分:8×100Gb/s”和“集成相干发射机与接收机光组件 第3部分: 800Gb/s”。

作为国家级创新研发机构,国家信息光电子创新中心早已率先布局800Gb/s光器件和传输系统研究,近期研制出全球首款800G硅光调制器芯片,速率达到现有主流商用速率的16倍;研制出超高速铌酸锂薄膜光调制器芯片,实现了单通道速率120Gb/s OOK及220Gb/s PAM4的光强度调制,以及110GBaud QPSK及80GBaud 16-QAM的相干光调制,为世界最快速的光子芯片之一,这些成果为800Gb/s光器件产品开发和标准制订提供了数据支撑和编制基础。

在工信部、省市区各级地方政府的关怀和支持下,创新中心各项建设内容稳步推进,已基本建成四大主体研发平台,具有国际一流的高端光电子芯片技术研发能力,并先后取得国内首款100G硅基相干光收发芯片、25G高速电吸收调制激光器芯片等一系列重大成果,多款光芯片产品实现了国产化替代,解决了多项产业面临的“卡脖子”问题,对信息通信产业发展和“新基建”建设起到了显著的支撑和带动作用。面向未来信息产业发展重大战略,创新中心将充分利用现有资源,发挥行业引领示范作用,以本次行业标准立项为契机,联合国内科研和产业重点单位,全力推动自主光电子芯片成果的标准化工作。

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