100G硅光收发芯片正式投产使用

发布时间：2018-08-10

2018年8月29日，由国家信息光电子创新中心、光迅科技公司、光纤通信技术和网络国家重点实验室、中国信息通信科技集团联合研制成功“100G硅光收发芯片”正式投产使用。实现100G/200G全集成硅基相干光收发集成芯片和器件的量产，并通过了用户现网测试，性能稳定可靠。该系列产品支持100~200Gb/s高速光信号传输，具备超小型、高性能、低成本、通用化等优点，可广泛应用于传输网和数据中心光传输设备。

该款商用化硅光芯片在一片约30mm2的硅芯片上集成了包括IQ调制器、Ge/Si 光探测器、偏振旋转分束/合束器、90°混频器、可调光衰减器、MPD及光纤端面耦合器等近60个有源和无源元件，是目前报道的集成度最高的光子集成芯片之一。高集成度也为器件的尺寸和功耗的带来突出优势，芯片封装后的器件尺寸仅为传统器件的三分之一，整体功耗小于1.3W，可以全面满足CFP/CFP2相干光模块的需求。

该款硅光产品已于2018年初通过运营商用户的现网测试验证，相关测试结果在深圳光博会期间举行的2018 the 3rd Optoelectronics Global Conference (OGC 2018) 会议上进行了报道。结果表明自研硅光产品完全符合《N×100Gbit/s光波分复用（WDM）系统技术要求》的国家标准，不仅性能上通过了所有的测试项，并且连续无误码工作超过三个月，性能和可靠性得到充分验证。

值得指出的是，此次推出的100G/200G硅基相干光系列产品拥有自主知识产权。研发团队相继突破并掌握了高速硅光调制和探测、高速光电集成匹配、片上偏振调控、高效宽谱光纤耦合、芯片自动化控制与补偿算法等关键技术，此外解决了芯片制造工艺调试、自主PDK库建设、晶圆级自动化筛检、芯片可靠性评估、器件自动化封测等量产难题。

创新中心专家委员会主任余少华院士表示，100G硅光芯片的产业化商用，表明我国已经具备硅光产品商用化设计的条件和基础。未来，硅光技术将在光通信系统中大规模部署和应用，推动我国自主硅光芯片技术向超高速、超大容量、超长距离、高集成度、高性能、低功耗、高可靠的方向发展。